相比之下，南太直连方法在大规划设备互联时布置杂乱、简单犯错，约束了全体算力功率的进步。

现代功率半导体（包含SiCJFET、铉张SiCMOSFET、铉张场截止IGBT等）的参数散布较窄，这进一步强化了人们关于正温度系数在均流方面具有强壮效果的观点，但决议静态均流的是参数散布和一起的散热装置。MOSFET漏极-源极电压是JFET栅极-源极电压的反相，才人然后使cascode结构出现常关特性。

Cascode布景常识如图1所示，公开cascode结构是由一个常开SiCJFET（碳化硅结型场效应晶体管）与一个低压SiMOSFET（硅金属-氧化物半导体场效应晶体管）串联而成。假如各个器材导通电阻的改变（散布）满足小（即经过分选的器材），恋情而且为了补偿不可避免的电流失配而留有裕量，恋情则具有负温度系数的器材能够成功并联。正如《Cascode入门》中所述，后首害羞Cascode与其他功率晶体管的首要差异在于，一旦VDS超越JFET的阈值电压，就没有栅极-漏极电容。

在核算中，同台甜笑甜蜜运用数据表中RDS(on)和RθJC的最大值，能够为并联时的静态和动态电流失配供给安全裕量。动态电流失配图2阈值电压失配导致的动态电流失配动态电流失配是由MOS栅控器材和JFET器材固有的器材间阈值电压改变、捂脸电流环路的不对称性以及栅极驱动器之间传达时延差异（假如适用的话）所引起的。

气息关于具有热不安稳性（如负温度系数导通电阻的老式硅二极管或穿通型IGBT）的器材特别值得重视。

有一个广为流传的误解，满满认为正温度系数导通电阻能强制均流，然后有利于并联。高密度光纤在智算中心的人物将愈加重要能够看到，南太现在数据中心的光纤基础设备在AI核算设备中的密度不断添加。

现在，铉张有一些严重的行动和雄心壮志的方案现已成形，数据中心建造的改造将助力云核算继续进阶。相同，才人AI好像只需很短的时刻就能到达相同的遍及程度，敏捷在企业范畴拓荒出新的运用场景，而这些场景中的绝大多数都将由数据中心来支撑。

跟着AI在企业级范畴的继续浸透，公开数据中心将肩负起供给海量核算资源，将AI的潜力转化为实在商业价值的重担。与AI相同，恋情数据中心也将不断立异与调整，以满意日益改变的需求，为这一快速开展的职业供给最优化的处理方案。